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Infineon Technologies IDK08G65C5XTMA2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IDK08G65C5XTMA2 |
| Référence EBEE | E83758485 |
| Boîtier | TO-263-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 1.8V@8A 8A TO-263-2 SiC Diodes ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IDK08G65C5XTMA2 | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 140uA@650V | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.8V@8A | |
| Current - Rectified | 8A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 68A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guide d’achat
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