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Infineon Technologies IDH10SG60CXKSA2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IDH10SG60CXKSA2 |
| Référence EBEE | E8672324 |
| Boîtier | TO-220-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 2.1V@10A 10A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IDH10SG60CXKSA2 | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 90uA@600V | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 2.1V@10A | |
| Current - Rectified | 10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 51A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guide d’achat
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