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Infineon Technologies IDH10SG60C
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IDH10SG60C |
| Référence EBEE | E8535874 |
| Boîtier | TO-220-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 1.8V@10A 10A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.3404 | $ 3.3404 |
| 10+ | $3.1628 | $ 31.6280 |
| 50+ | $3.0578 | $ 152.8900 |
| 100+ | $2.9512 | $ 295.1200 |
| 500+ | $2.9034 | $ 1451.7000 |
| 1000+ | $2.8802 | $ 2880.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IDH10SG60C | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 800nA@600V | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.8V@10A | |
| Current - Rectified | 10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 410A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guide d’achat
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| 50+ | $3.0578 | $ 152.8900 |
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| 500+ | $2.9034 | $ 1451.7000 |
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