| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IDH10G65C6 |
| Référence EBEE | E8535873 |
| Boîtier | TO-220-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 1.25V@10A Independent Type 24A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5623 | $ 2.5623 |
| 10+ | $2.1779 | $ 21.7790 |
| 50+ | $1.8616 | $ 93.0800 |
| 100+ | $1.6149 | $ 161.4900 |
| 500+ | $1.5042 | $ 752.1000 |
| 1000+ | $1.4551 | $ 1455.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IDH10G65C6 | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 1uA@420V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.25V@10A | |
| Current - Rectified | 24A |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5623 | $ 2.5623 |
| 10+ | $2.1779 | $ 21.7790 |
| 50+ | $1.8616 | $ 93.0800 |
| 100+ | $1.6149 | $ 161.4900 |
| 500+ | $1.5042 | $ 752.1000 |
| 1000+ | $1.4551 | $ 1455.1000 |
