| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IDH04SG60C |
| Référence EBEE | E85361092 |
| Boîtier | TO-220-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3023 | $ 2.3023 |
| 10+ | $1.8814 | $ 18.8140 |
| 50+ | $1.6174 | $ 80.8700 |
| 100+ | $1.3473 | $ 134.7300 |
| 500+ | $1.2251 | $ 612.5500 |
| 1000+ | $1.1723 | $ 1172.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IDH04SG60C | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 25uA@600V | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 2.3V@4A | |
| Current - Rectified | 4A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 120A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3023 | $ 2.3023 |
| 10+ | $1.8814 | $ 18.8140 |
| 50+ | $1.6174 | $ 80.8700 |
| 100+ | $1.3473 | $ 134.7300 |
| 500+ | $1.2251 | $ 612.5500 |
| 1000+ | $1.1723 | $ 1172.3000 |
