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Infineon Technologies IDH03SG60C
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IDH03SG60C |
| Référence EBEE | E8535855 |
| Boîtier | TO-220-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 2.1V@3A 3A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IDH03SG60C | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 230nA@600V | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 2.1V@3A | |
| Current - Rectified | 3A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 11.5A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guide d’achat
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