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Infineon Technologies IDD10SG60CXTMA2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IDD10SG60CXTMA2 |
| Référence EBEE | E85772385 |
| Boîtier | TO-252-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 2.1V@10A 10A TO-252-3 SiC Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $12.9997 | $ 12.9997 |
| 10+ | $11.4256 | $ 114.2560 |
| 30+ | $10.4651 | $ 313.9530 |
| 100+ | $9.6604 | $ 966.0400 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IDD10SG60CXTMA2 | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 90uA@600V | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 2.1V@10A | |
| Current - Rectified | 10A |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $12.9997 | $ 12.9997 |
| 10+ | $11.4256 | $ 114.2560 |
| 30+ | $10.4651 | $ 313.9530 |
| 100+ | $9.6604 | $ 966.0400 |
