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HXY MOSFET HC4D40120H


Fabricant
Référence Fabricant
HC4D40120H
Référence EBEE
E819723893
Boîtier
TO-247-2L
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
1.2kV Independent Type 1.5V@40A TO-247-2L SiC Diodes ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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10+$5.3657$ 53.6570
30+$4.8632$ 145.8960
90+$4.4416$ 399.7440
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TypeDescription
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CatégorieSilicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes
Fiche TechniqueHXY MOSFET HC4D40120H
RoHS
Reverse Leakage Current (Ir)300uA@1200V
Diode ConfigurationIndependent
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1.2kV
Voltage - Forward(Vf@If)1.5V@40A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current247A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+175℃

Guide d’achat

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