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HXY MOSFET HC4D08120A


Fabricant
Référence Fabricant
HC4D08120A
Référence EBEE
E819723883
Boîtier
TO-220-2L
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
1.2kV Independent Type 1.5V@8A TO-220-2L SiC Diodes ROHS
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Qté.Prix unitairePrix total
1+$1.2700$ 1.2700
10+$1.0788$ 10.7880
50+$0.9330$ 46.6500
100+$0.8110$ 81.1000
500+$0.7549$ 377.4500
1000+$0.7312$ 731.2000
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TypeDescription
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CatégorieSilicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes
Fiche TechniqueHXY MOSFET HC4D08120A
RoHS
Reverse Leakage Current (Ir)250uA@1200V
Diode ConfigurationIndependent
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1.2kV
Voltage - Forward(Vf@If)1.5V@8A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current64A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+175℃

Guide d’achat

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