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HXY MOSFET HC3D10065E
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HC3D10065E |
| Référence EBEE | E822449557 |
| Boîtier | TO-252-2L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V Independent Type 1.3V@10A TO-252-2L SiC Diodes ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET HC3D10065E | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@10A | |
| Current - Rectified | 30A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 80A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guide d’achat
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