Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
HXY MOSFET HC1D08065F
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HC1D08065F |
| Référence EBEE | E841428794 |
| Boîtier | TO-220F-2L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-220F-2L SiC Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>3 En stock pour livraison rapide
3 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7077 | $ 1.7077 |
| 10+ | $1.4462 | $ 14.4620 |
| 50+ | $1.2812 | $ 64.0600 |
| 100+ | $1.1131 | $ 111.3100 |
| 500+ | $1.0368 | $ 518.4000 |
| 1000+ | $1.0041 | $ 1004.1000 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET HC1D08065F | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@8A | |
| Current - Rectified | 19A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 64A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guide d’achat
Développer
3 Stock for Shipping Fast
3 available for immediate shippingPeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7077 | $ 1.7077 |
| 10+ | $1.4462 | $ 14.4620 |
| 50+ | $1.2812 | $ 64.0600 |
| 100+ | $1.1131 | $ 111.3100 |
| 500+ | $1.0368 | $ 518.4000 |
| 1000+ | $1.0041 | $ 1004.1000 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
