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HXY MOSFET HC1D06065N
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HC1D06065N |
| Référence EBEE | E841428799 |
| Boîtier | QPFN-8(5x6) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | QPFN-8(5x6) SiC Diodes ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8451 | $ 0.8451 |
| 10+ | $0.6824 | $ 6.8240 |
| 30+ | $0.6010 | $ 18.0300 |
| 100+ | $0.5212 | $ 52.1200 |
| 500+ | $0.4617 | $ 230.8500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET HC1D06065N | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@6A | |
| Current - Rectified | 23A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 48A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guide d’achat
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| 10+ | $0.6824 | $ 6.8240 |
| 30+ | $0.6010 | $ 18.0300 |
| 100+ | $0.5212 | $ 52.1200 |
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