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HARRIS IRF730
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRF730 |
| Référence EBEE | E83280381 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 400V 5.5A 100W 1Ω@10V,3A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4480 | $ 1.4480 |
| 200+ | $0.5607 | $ 112.1400 |
| 500+ | $0.5413 | $ 270.6500 |
| 1000+ | $0.5323 | $ 532.3000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | HARRIS IRF730 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 400V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 5.5A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1Ω@10V,3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 100W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 530pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 24nC@10V |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4480 | $ 1.4480 |
| 200+ | $0.5607 | $ 112.1400 |
| 500+ | $0.5413 | $ 270.6500 |
| 1000+ | $0.5323 | $ 532.3000 |
