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GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GD2X100MPS06N |
| Référence EBEE | E83757963 |
| Boîtier | SOT-227 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 1.8V@100A 2 independent 108A SOT-227 SiC Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $58.9626 | $ 58.9626 |
| 200+ | $22.8177 | $ 4563.5400 |
| 500+ | $22.0158 | $ 11007.9000 |
| 1000+ | $21.6203 | $ 21620.3000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 5uA@650V | |
| Tension inverse (Vr) | 650V | |
| Configuration à diode | 2 independent | |
| Tension vers l'avant (Vf-si) | 1.8V@100A | |
| Courant rectifié (Io) | 108A |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $58.9626 | $ 58.9626 |
| 200+ | $22.8177 | $ 4563.5400 |
| 500+ | $22.0158 | $ 11007.9000 |
| 1000+ | $21.6203 | $ 21620.3000 |
