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GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GD10MPS12E |
| Référence EBEE | E83758527 |
| Boîtier | TO-252-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.2kV 1.8V@10A 29A TO-252-2 SiC Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $7.6214 | $ 7.6214 |
| 200+ | $2.9501 | $ 590.0200 |
| 500+ | $2.8463 | $ 1423.1500 |
| 1000+ | $2.7952 | $ 2795.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 5uA@1200V | |
| Tension inverse (Vr) | 1.2kV | |
| Tension vers l'avant (Vf-si) | 1.8V@10A | |
| Courant rectifié (Io) | 29A |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $7.6214 | $ 7.6214 |
| 200+ | $2.9501 | $ 590.0200 |
| 500+ | $2.8463 | $ 1423.1500 |
| 1000+ | $2.7952 | $ 2795.2000 |
