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FUXINSEMI F4C20120A
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | F4C20120A |
| Référence EBEE | E8784612 |
| Boîtier | TO-220-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 1.2kV 1.5V@20A Independent Type 54.5A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | FUXINSEMI F4C20120A | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | [email protected] | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@20A | |
| Current - Rectified | 54.5A |
Guide d’achat
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