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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | F3C20065A |
| Référence EBEE | E8784609 |
| Boîtier | TO-220-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V Independent Type 1.5V@10A 55A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0920 | $ 2.0920 |
| 10+ | $1.8050 | $ 18.0500 |
| 50+ | $1.4963 | $ 74.8150 |
| 100+ | $1.3121 | $ 131.2100 |
| 500+ | $1.2295 | $ 614.7500 |
| 1000+ | $1.1927 | $ 1192.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | FUXINSEMI F3C20065A | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 12uA@650V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@10A | |
| Current - Rectified | 55A |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0920 | $ 2.0920 |
| 10+ | $1.8050 | $ 18.0500 |
| 50+ | $1.4963 | $ 74.8150 |
| 100+ | $1.3121 | $ 131.2100 |
| 500+ | $1.2295 | $ 614.7500 |
| 1000+ | $1.1927 | $ 1192.7000 |
