| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CDBJSC8650-G |
| Référence EBEE | E86877515 |
| Boîtier | TO-220-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 1.7V@8A 8A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $11.9907 | $ 11.9907 |
| 200+ | $4.7858 | $ 957.1600 |
| 500+ | $4.6255 | $ 2312.7500 |
| 1000+ | $4.5471 | $ 4547.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | Comchip CDBJSC8650-G | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 100uA@650V | |
| Tension inverse (Vr) | 650V | |
| Tension vers l'avant (Vf-si) | 1.7V@8A | |
| Courant rectifié (Io) | 8A |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $11.9907 | $ 11.9907 |
| 200+ | $4.7858 | $ 957.1600 |
| 500+ | $4.6255 | $ 2312.7500 |
| 1000+ | $4.5471 | $ 4547.1000 |
