| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | 2N65M |
| Código de Pieza EBEE | E87433961 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 650V 4A TO-252 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1551 | $ 0.7755 |
| 50+ | $0.1201 | $ 6.0050 |
| 150+ | $0.1051 | $ 15.7650 |
| 500+ | $0.0864 | $ 43.2000 |
| 2500+ | $0.0780 | $ 195.0000 |
| 5000+ | $0.0730 | $ 365.0000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | WEIDA 2N65M | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 3.8Ω@10V | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 35W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 290pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 31pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9nC |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1551 | $ 0.7755 |
| 50+ | $0.1201 | $ 6.0050 |
| 150+ | $0.1051 | $ 15.7650 |
| 500+ | $0.0864 | $ 43.2000 |
| 2500+ | $0.0780 | $ 195.0000 |
| 5000+ | $0.0730 | $ 365.0000 |
