Recommonended For You
63% off
Las imágenes son solo para referencia
Añadir a Favoritos

STMicroelectronics STB15N80K5


Fabricante
Código de Pieza del Fabricante
STB15N80K5
Código de Pieza EBEE
E8500932
Paquete
D2PAK
Número de Cliente
Hoja de Datos
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descripción
800V 14A 0.375Ω@10V,7A 190W 3V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
Saber más >>
658 En Stock para Envío Rápido
658 disponible para envío inmediato
Puede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
Cant.Precio UnitarioPrecio Ext.
1+$1.3584$ 1.3584
10+$1.2945$ 12.9450
30+$1.2570$ 37.7100
100+$1.2184$ 121.8400
500+$1.2008$ 600.4000
1000+$1.1926$ 1192.6000
¿Mejor precio para mayor cantidad?
$
TipoDescripción
Seleccionar Todo
CategoríaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Hoja de DatosST STB15N80K5
RoHS
RDS (on)375mΩ@10V
Temperatura de funcionamiento --55℃~+150℃
Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds)1.5pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation190W
Drain to Source Voltage800V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3V
Current - Continuous Drain(Id)14A
Ciss-Input Capacitance1.1nF
Gate Charge(Qg)32nC@640V

Guía de compra

Expandir