| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SUM90220E-GE3 |
| Código de Pieza EBEE | E83291093 |
| Paquete | TO-263(D2PAK) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 200V 64A 0.0216Ω@10V,15A 230W 4V@250uA 1 N-channel TO-263(D2PAK) MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4780 | $ 4.4780 |
| 200+ | $1.7340 | $ 346.8000 |
| 500+ | $1.6720 | $ 836.0000 |
| 800+ | $1.6428 | $ 1314.2400 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | VISHAY SUM90220E-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 200V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 64A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.0216Ω@10V,15A | |
| Disipación de energía (Pd) | 230W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 15pF@100V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.95nF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 31.6nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4780 | $ 4.4780 |
| 200+ | $1.7340 | $ 346.8000 |
| 500+ | $1.6720 | $ 836.0000 |
| 800+ | $1.6428 | $ 1314.2400 |
