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Vishay Intertech SUM90100E-GE3
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SUM90100E-GE3 |
| Código de Pieza EBEE | E83291118 |
| Paquete | TO-263(D2PAK) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 200V 150A 250W 0.0114Ω@10V,16A 4V@250uA 1 N-channel TO-263(D2PAK) MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0237 | $ 3.0237 |
| 200+ | $1.1712 | $ 234.2400 |
| 500+ | $1.1286 | $ 564.3000 |
| 800+ | $1.1091 | $ 887.2800 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | VISHAY SUM90100E-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 200V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 150A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.0114Ω@10V,16A | |
| Disipación de energía (Pd) | 250W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 12pF@100V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 3.93nF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 56.7nC@10V |
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| 500+ | $1.1286 | $ 564.3000 |
| 800+ | $1.1091 | $ 887.2800 |
