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Vishay Intertech SIHB24N65E-E3
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SIHB24N65E-E3 |
| Código de Pieza EBEE | E87316105 |
| Paquete | D2PAK(TO-263) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 24A 145mΩ@10V,12A 250W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.6632 | $ 8.6632 |
| 200+ | $3.4572 | $ 691.4400 |
| 500+ | $3.3422 | $ 1671.1000 |
| 1000+ | $3.2838 | $ 3283.8000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | VISHAY SIHB24N65E-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 24A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 145mΩ@10V,12A | |
| Disipación de energía (Pd) | 250W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 2.74nF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 122nC@10V |
Guía de compra
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| 500+ | $3.3422 | $ 1671.1000 |
| 1000+ | $3.2838 | $ 3283.8000 |
