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Vishay Intertech SI8483DB-T2-E1
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SI8483DB-T2-E1 |
| Código de Pieza EBEE | E8142558 |
| Paquete | BGA-6 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 12V 16A 26mΩ@4.5V,1.5A 800mV@250uA 1 Piece P-Channel BGA-6 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3331 | $ 1.3331 |
| 10+ | $1.1733 | $ 11.7330 |
| 30+ | $1.0846 | $ 32.5380 |
| 100+ | $0.9869 | $ 98.6900 |
| 500+ | $0.9425 | $ 471.2500 |
| 1000+ | $0.9231 | $ 923.1000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | VISHAY SI8483DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 12V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 16A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 26mΩ@4.5V,1.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 2.77W;13W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 800mV@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.84nF@6V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 65nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3331 | $ 1.3331 |
| 10+ | $1.1733 | $ 11.7330 |
| 30+ | $1.0846 | $ 32.5380 |
| 100+ | $0.9869 | $ 98.6900 |
| 500+ | $0.9425 | $ 471.2500 |
| 1000+ | $0.9231 | $ 923.1000 |
