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Vishay Intertech SI8409DB-T1-E1
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SI8409DB-T1-E1 |
| Código de Pieza EBEE | E8727697 |
| Paquete | XFBGA-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 30V 6.3A 46mΩ@4.5V,1A 1.77W 1.4V@250uA 1 Piece P-Channel XFBGA-4 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4587 | $ 1.4587 |
| 200+ | $0.5652 | $ 113.0400 |
| 500+ | $0.5452 | $ 272.6000 |
| 1000+ | $0.5361 | $ 536.1000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | VISHAY SI8409DB-T1-E1 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Configuración | - | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 6.3A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 46mΩ@4.5V,1A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.77W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1.4V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | - | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | [email protected] |
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| 500+ | $0.5452 | $ 272.6000 |
| 1000+ | $0.5361 | $ 536.1000 |
