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Vishay Intertech SI8406DB-T2-E1
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SI8406DB-T2-E1 |
| Código de Pieza EBEE | E8727450 |
| Paquete | MicroFoot-6 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 20V 7.8A 33mΩ@4.5V,1A 400mV@250uA 1 N-channel MicroFoot-6 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7312 | $ 0.7312 |
| 200+ | $0.2827 | $ 56.5400 |
| 500+ | $0.2736 | $ 136.8000 |
| 1000+ | $0.2681 | $ 268.1000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | VISHAY SI8406DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 20V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 7.8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 33mΩ@4.5V,1A | |
| Disipación de energía (Pd) | 2.77W;13W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 400mV@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 61pF@10V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 830pF@10V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 20nC@8V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
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| 200+ | $0.2827 | $ 56.5400 |
| 500+ | $0.2736 | $ 136.8000 |
| 1000+ | $0.2681 | $ 268.1000 |
