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VBsemi Elec VS3080AD-VB
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | VS3080AD-VB |
| Código de Pieza EBEE | E819632048 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 30V 100A 2mΩ@10V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3003 | $ 0.3003 |
| 10+ | $0.2942 | $ 2.9420 |
| 30+ | $0.2897 | $ 8.6910 |
| 100+ | $0.2837 | $ 28.3700 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | VBsemi Elec VS3080AD-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 3mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 235W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.525nF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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| 30+ | $0.2897 | $ 8.6910 |
| 100+ | $0.2837 | $ 28.3700 |
