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VBsemi Elec STD8N65M5-VB
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STD8N65M5-VB |
| Código de Pieza EBEE | E822357267 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 8A 560mΩ@10V 4V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
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|---|---|---|
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| 100+ | $0.6701 | $ 67.0100 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | VBsemi Elec STD8N65M5-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| Configuración | - | |
| RDS (on) | 560mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 51pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 180W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 51pF | |
| Gate Charge(Qg) | 205nC@10V |
Guía de compra
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| 10+ | $0.8876 | $ 8.8760 |
| 30+ | $0.7860 | $ 23.5800 |
| 100+ | $0.6701 | $ 67.0100 |
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