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VBsemi Elec HY1908D-VB
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | HY1908D-VB |
| Código de Pieza EBEE | E819632121 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 80V 75A 5mΩ@10V 1 N-channel TO-252-2L MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | VBsemi Elec HY1908D-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 8.7mΩ@5V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 76pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 62.5W | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 75A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.855nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 950pF | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC@6V |
Guía de compra
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