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VBsemi Elec DTS2016-VB
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | DTS2016-VB |
| Código de Pieza EBEE | E841370188 |
| Paquete | SOT-23 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 20V 6A 0.028Ω@4.5V,6A 1.3W 1V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1007 | $ 0.1007 |
| 200+ | $0.0403 | $ 8.0600 |
| 500+ | $0.0389 | $ 19.4500 |
| 1000+ | $0.0382 | $ 38.2000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | VBsemi Elec DTS2016-VB | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 20V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 6A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.028Ω@4.5V,6A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.3W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 55pF@10V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 865pF@10V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 8.8nC@5V |
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| 1+ | $0.1007 | $ 0.1007 |
| 200+ | $0.0403 | $ 8.0600 |
| 500+ | $0.0389 | $ 19.4500 |
| 1000+ | $0.0382 | $ 38.2000 |
