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Texas Instruments CSD13306WT
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | CSD13306WT |
| Código de Pieza EBEE | E82861410 |
| Paquete | DSBGA-6 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 12V 3.5A 1.9W 8.8mΩ@4.5V,1.5A 1V@250uA 1 N-channel DSBGA-6 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4131 | $ 1.4131 |
| 250+ | $0.5471 | $ 136.7750 |
| 500+ | $0.5288 | $ 264.4000 |
| 1000+ | $0.5178 | $ 517.8000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | TI CSD13306WT | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 12V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 3.5A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 8.8mΩ@4.5V,1.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.9W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 294pF | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.37nF | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | [email protected] |
Guía de compra
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| 500+ | $0.5288 | $ 264.4000 |
| 1000+ | $0.5178 | $ 517.8000 |
