Recommonended For You
Las imágenes son solo para referencia
Añadir a Favoritos
STMicroelectronics STY100NM60N
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STY100NM60N |
| Código de Pieza EBEE | E817561196 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 600V 98A 29mΩ@10V,49A 625W 4V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
Saber más >>En Stock : Por favor consulte
Por favor envíe una RFQ, responderemos de inmediato.
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $55.8538 | $ 55.8538 |
| 210+ | $22.2876 | $ 4680.3960 |
| 510+ | $21.5428 | $ 10986.8280 |
| 990+ | $21.1740 | $ 20962.2600 |
Recomendado Para Ti
Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STY100NM60N | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 600V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 98A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 29mΩ@10V,49A | |
| Disipación de energía (Pd) | 625W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 9.6nF@50V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 330nC@10V |
Guía de compra
Expandir
En Stock : Por favor consulte
Por favor envíe una RFQ, responderemos de inmediato.
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $55.8538 | $ 55.8538 |
| 210+ | $22.2876 | $ 4680.3960 |
| 510+ | $21.5428 | $ 10986.8280 |
| 990+ | $21.1740 | $ 20962.2600 |
