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STMicroelectronics STW18N60DM2
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STW18N60DM2 |
| Código de Pieza EBEE | E85268679 |
| Paquete | TO-247 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 600V 12A 295mΩ 90W 3V@250uA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2622 | $ 4.2622 |
| 210+ | $1.6501 | $ 346.5210 |
| 510+ | $1.5917 | $ 811.7670 |
| 990+ | $1.5625 | $ 1546.8750 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STW18N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Configuración | - | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 600V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 12A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 295mΩ | |
| Disipación de energía (Pd) | 90W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 1.33pF@100V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 800pF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 20nC@480V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2622 | $ 4.2622 |
| 210+ | $1.6501 | $ 346.5210 |
| 510+ | $1.5917 | $ 811.7670 |
| 990+ | $1.5625 | $ 1546.8750 |
