| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STS8N6LF6AG |
| Código de Pieza EBEE | E85221400 |
| Paquete | SO-8 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 60V 8A 24mΩ@10V,4A 3.2W 2.5V@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2851 | $ 1.2851 |
| 200+ | $0.4984 | $ 99.6800 |
| 500+ | $0.4801 | $ 240.0500 |
| 1000+ | $0.4710 | $ 471.0000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STS8N6LF6AG | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 24mΩ@10V,4A | |
| Disipación de energía (Pd) | 3.2W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.5V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 60pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.34nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 27nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2851 | $ 1.2851 |
| 200+ | $0.4984 | $ 99.6800 |
| 500+ | $0.4801 | $ 240.0500 |
| 1000+ | $0.4710 | $ 471.0000 |
