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STMicroelectronics STP9NM40N
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STP9NM40N |
| Código de Pieza EBEE | E85931921 |
| Paquete | TO-220 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 400V 5.6A 790mΩ@10V,2.5A 60W 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.9188 | $ 2.9188 |
| 200+ | $1.1646 | $ 232.9200 |
| 500+ | $1.1263 | $ 563.1500 |
| 1000+ | $1.1080 | $ 1108.0000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STP9NM40N | |
| RoHS | ||
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 400V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 5.6A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 790mΩ@10V,2.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 60W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 365pF@50V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 14nC@10V |
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| 1000+ | $1.1080 | $ 1108.0000 |
