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STMicroelectronics STP40N65M2
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STP40N65M2 |
| Código de Pieza EBEE | E8501037 |
| Paquete | TO-220 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 32A 0.099Ω@10V,16A 250W 2V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5774 | $ 2.5774 |
| 10+ | $2.5241 | $ 25.2410 |
| 30+ | $2.4886 | $ 74.6580 |
| 100+ | $2.4531 | $ 245.3100 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STP40N65M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 32A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.099Ω@10V,16A | |
| Disipación de energía (Pd) | 250W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 2.7pF@100V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 2.355nF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 56.5nC@10V |
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| 10+ | $2.5241 | $ 25.2410 |
| 30+ | $2.4886 | $ 74.6580 |
| 100+ | $2.4531 | $ 245.3100 |
