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STMicroelectronics STP31N65M5
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STP31N65M5 |
| Código de Pieza EBEE | E83290241 |
| Paquete | TO-220 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 22A 150W 148mΩ@10V,11A 5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.3856 | $ 3.3856 |
| 200+ | $1.3113 | $ 262.2600 |
| 500+ | $1.2652 | $ 632.6000 |
| 1000+ | $1.2421 | $ 1242.1000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STP31N65M5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | - | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 22A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 148mΩ@10V,11A | |
| Disipación de energía (Pd) | 150W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 5V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 816pF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 45nC@10V |
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| 200+ | $1.3113 | $ 262.2600 |
| 500+ | $1.2652 | $ 632.6000 |
| 1000+ | $1.2421 | $ 1242.1000 |
