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STMicroelectronics STP19NF20
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STP19NF20 |
| Código de Pieza EBEE | E818827 |
| Paquete | TO-220 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 200V 15A 160mΩ@10V,7.5A 90W 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.9390 | $ 1.9390 |
| 10+ | $1.6961 | $ 16.9610 |
| 50+ | $1.5447 | $ 77.2350 |
| 100+ | $1.3894 | $ 138.9400 |
| 500+ | $1.3201 | $ 660.0500 |
| 1200+ | $1.2890 | $ 1546.8000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STP19NF20 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 200V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 15A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 160mΩ@10V,7.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 90W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 800pF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 24nC@10V |
Guía de compra
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|---|---|---|
| 1+ | $1.9390 | $ 1.9390 |
| 10+ | $1.6961 | $ 16.9610 |
| 50+ | $1.5447 | $ 77.2350 |
| 100+ | $1.3894 | $ 138.9400 |
| 500+ | $1.3201 | $ 660.0500 |
| 1200+ | $1.2890 | $ 1546.8000 |
