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STMicroelectronics STP18NM80
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STP18NM80 |
| Código de Pieza EBEE | E83290225 |
| Paquete | TO-220 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 800V 17A 295mΩ@10V,8.5A 190W 5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7111 | $ 4.7111 |
| 10+ | $4.1345 | $ 41.3450 |
| 30+ | $3.7902 | $ 113.7060 |
| 100+ | $3.4443 | $ 344.4300 |
| 500+ | $3.2845 | $ 1642.2500 |
| 1000+ | $3.2117 | $ 3211.7000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STP18NM80 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | - | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 800V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 17A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 295mΩ@10V,8.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 190W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 5V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 29pF@50V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 2.07nF@50V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 70nC@10V |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7111 | $ 4.7111 |
| 10+ | $4.1345 | $ 41.3450 |
| 30+ | $3.7902 | $ 113.7060 |
| 100+ | $3.4443 | $ 344.4300 |
| 500+ | $3.2845 | $ 1642.2500 |
| 1000+ | $3.2117 | $ 3211.7000 |
