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STMicroelectronics STP110N10F7
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STP110N10F7 |
| Código de Pieza EBEE | E8472621 |
| Paquete | TO-220 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 100V 110A 150W 5.1mΩ@10V,55A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2508 | $ 2.2508 |
| 10+ | $2.1980 | $ 21.9800 |
| 50+ | $2.1635 | $ 108.1750 |
| 100+ | $2.1290 | $ 212.9000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STP110N10F7 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 110A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 5.1mΩ@10V,55A | |
| Disipación de energía (Pd) | 150W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.5V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 39pF@50V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 5.117nF@50V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 72nC@50V |
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|---|---|---|
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| 50+ | $2.1635 | $ 108.1750 |
| 100+ | $2.1290 | $ 212.9000 |
