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STMicroelectronics STO68N65DM6
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STO68N65DM6 |
| Código de Pieza EBEE | E83291323 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 55A 53mΩ@10V,27.5A 240W 4.75V@250uA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $15.4352 | $ 15.4352 |
| 10+ | $14.2279 | $ 142.2790 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STO68N65DM6 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Configuración | - | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 55A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 53mΩ@10V,27.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 240W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4.75V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 1.5pF@100V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 3528pF | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 80nC@10V |
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