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STMicroelectronics STL9N60M2
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STL9N60M2 |
| Código de Pieza EBEE | E82970419 |
| Paquete | VDFN-8-Power |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 600V 4.8A 48W 0.86Ω@10V,2.4A 3V@250uA 1 N-channel VDFN-8-Power MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3010 | $ 2.3010 |
| 200+ | $0.8916 | $ 178.3200 |
| 500+ | $0.8607 | $ 430.3500 |
| 1000+ | $0.8442 | $ 844.2000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STL9N60M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 600V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 4.8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.86Ω@10V,2.4A | |
| Disipación de energía (Pd) | 48W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 0.68pF@100V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 320pF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 10nC |
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|---|---|---|
| 1+ | $2.3010 | $ 2.3010 |
| 200+ | $0.8916 | $ 178.3200 |
| 500+ | $0.8607 | $ 430.3500 |
| 1000+ | $0.8442 | $ 844.2000 |
