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STMicroelectronics STL10N60M6
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STL10N60M6 |
| Código de Pieza EBEE | E82970135 |
| Paquete | VDFN-8-Power |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 600V 5.5A 48W 550mΩ@10V,2.75A 3.25V@250uA 1 N-channel VDFN-8-Power MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3375 | $ 2.3375 |
| 200+ | $0.9044 | $ 180.8800 |
| 500+ | $0.8734 | $ 436.7000 |
| 1000+ | $0.8570 | $ 857.0000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STL10N60M6 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 600V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 5.5A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 550mΩ@10V,2.75A | |
| Disipación de energía (Pd) | 48W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3.25V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 3.8pF@100V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 338pF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 8.8nC |
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| 1000+ | $0.8570 | $ 857.0000 |
