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STMicroelectronics STI32N65M5
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STI32N65M5 |
| Código de Pieza EBEE | E85931867 |
| Paquete | I2PAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 24A 119mΩ@10V,12A 150W 5V@250uA 1 N-channel I2PAK MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $11.1840 | $ 11.1840 |
| 200+ | $4.4630 | $ 892.6000 |
| 500+ | $4.3133 | $ 2156.6500 |
| 1000+ | $4.2403 | $ 4240.3000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STI32N65M5 | |
| RoHS | ||
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 24A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 119mΩ@10V,12A | |
| Disipación de energía (Pd) | 150W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 5V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 3.32nF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 72nC@10V |
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| 500+ | $4.3133 | $ 2156.6500 |
| 1000+ | $4.2403 | $ 4240.3000 |
