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STMicroelectronics STI18N65M5
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STI18N65M5 |
| Código de Pieza EBEE | E87324945 |
| Paquete | I2PAK |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 15A 220mΩ@10V,7.5A 110W 5V@250uA 1 N-channel I2PAK MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.3635 | $ 7.3635 |
| 200+ | $2.9388 | $ 587.7600 |
| 500+ | $2.8403 | $ 1420.1500 |
| 1000+ | $2.7911 | $ 2791.1000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 15A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 220mΩ@10V,7.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 110W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 5V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.24nF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 31nC@10V |
Guía de compra
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| 500+ | $2.8403 | $ 1420.1500 |
| 1000+ | $2.7911 | $ 2791.1000 |
