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STMicroelectronics STI10N62K3
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STI10N62K3 |
| Código de Pieza EBEE | E85931865 |
| Paquete | I2PAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 620V 8.4A 750mΩ@10V,4A 125W 4.5V@100uA 1 N-channel I2PAK MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1342 | $ 3.1342 |
| 200+ | $1.2504 | $ 250.0800 |
| 500+ | $1.2084 | $ 604.2000 |
| 1000+ | $1.1884 | $ 1188.4000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STI10N62K3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 620V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 8.4A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 750mΩ@10V,4A | |
| Disipación de energía (Pd) | 125W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4.5V@100uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.25nF@50V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 42nC@10V |
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| 500+ | $1.2084 | $ 604.2000 |
| 1000+ | $1.1884 | $ 1188.4000 |
