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STMicroelectronics STH15810-2
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STH15810-2 |
| Código de Pieza EBEE | E8136034 |
| Paquete | H2PAK-2 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 100V 110A 3.9mΩ@10V,55A 250W 4.5V@250uA 1 N-channel H2PAK-2 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6580 | $ 1.6580 |
| 10+ | $1.4396 | $ 14.3960 |
| 30+ | $1.3188 | $ 39.5640 |
| 100+ | $1.1822 | $ 118.2200 |
| 500+ | $1.1218 | $ 560.9000 |
| 1000+ | $1.0934 | $ 1093.4000 |
| 2000+ | $1.0828 | $ 2165.6000 |
| 4000+ | $1.0757 | $ 4302.8000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STH15810-2 | |
| RoHS | ||
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 110A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 3.9mΩ@10V,55A | |
| Disipación de energía (Pd) | 250W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4.5V@250uA |
Guía de compra
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| 10+ | $1.4396 | $ 14.3960 |
| 30+ | $1.3188 | $ 39.5640 |
| 100+ | $1.1822 | $ 118.2200 |
| 500+ | $1.1218 | $ 560.9000 |
| 1000+ | $1.0934 | $ 1093.4000 |
| 2000+ | $1.0828 | $ 2165.6000 |
| 4000+ | $1.0757 | $ 4302.8000 |
