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STMicroelectronics STF33N65M2
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STF33N65M2 |
| Código de Pieza EBEE | E82875896 |
| Paquete | TO-220FP-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 24A 34W 140mΩ@10V,12A 4V@250uA 1 N-channel TO-220FP-3 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7770 | $ 2.7770 |
| 10+ | $2.4168 | $ 24.1680 |
| 30+ | $2.1897 | $ 65.6910 |
| 100+ | $1.9572 | $ 195.7200 |
| 500+ | $1.7674 | $ 883.7000 |
| 1000+ | $1.7212 | $ 1721.2000 |
| 2000+ | $1.6999 | $ 3399.8000 |
| 4000+ | $1.6858 | $ 6743.2000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STF33N65M2 | |
| RoHS | ||
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 24A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 140mΩ@10V,12A | |
| Disipación de energía (Pd) | 34W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 2pF@100V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.79nF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 41.5nC@10V |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7770 | $ 2.7770 |
| 10+ | $2.4168 | $ 24.1680 |
| 30+ | $2.1897 | $ 65.6910 |
| 100+ | $1.9572 | $ 195.7200 |
| 500+ | $1.7674 | $ 883.7000 |
| 1000+ | $1.7212 | $ 1721.2000 |
| 2000+ | $1.6999 | $ 3399.8000 |
| 4000+ | $1.6858 | $ 6743.2000 |
