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STMicroelectronics STF26N65DM2
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STF26N65DM2 |
| Código de Pieza EBEE | E8500980 |
| Paquete | TO-220FP |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 20A 0.19Ω@10V,10A 30W 4V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.9419 | $ 1.9419 |
| 10+ | $1.9011 | $ 19.0110 |
| 30+ | $1.8745 | $ 56.2350 |
| 100+ | $1.8478 | $ 184.7800 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STF26N65DM2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 20A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.19Ω@10V,10A | |
| Disipación de energía (Pd) | 30W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 2pF@100V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.48nF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | - |
Guía de compra
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| 10+ | $1.9011 | $ 19.0110 |
| 30+ | $1.8745 | $ 56.2350 |
| 100+ | $1.8478 | $ 184.7800 |
