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STMicroelectronics STF12N65M2
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STF12N65M2 |
| Código de Pieza EBEE | E82965438 |
| Paquete | TO-220-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 8A 0.5Ω@10V,4A 25W 4V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6072 | $ 4.6072 |
| 10+ | $4.0402 | $ 40.4020 |
| 30+ | $3.7043 | $ 111.1290 |
| 100+ | $3.3647 | $ 336.4700 |
| 500+ | $3.0541 | $ 1527.0500 |
| 1000+ | $2.9837 | $ 2983.7000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ST STF12N65M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.5Ω@10V,4A | |
| Disipación de energía (Pd) | 25W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 1.1pF@100V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 535pF@100V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 16.7nC@520V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6072 | $ 4.6072 |
| 10+ | $4.0402 | $ 40.4020 |
| 30+ | $3.7043 | $ 111.1290 |
| 100+ | $3.3647 | $ 336.4700 |
| 500+ | $3.0541 | $ 1527.0500 |
| 1000+ | $2.9837 | $ 2983.7000 |
